Advanced GaN chip solutio
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围绕化合物半导体材料，研制大规模模拟集成芯片，其中SDR SiP芯片、mini LED及第三代半导体氮化镓GaN、SiC功率器件获得数10项发明专利。
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射频芯片是移动智能终端产品的核心组成部分，追求低功耗、高性能、低成本是其技术升级的主要驱动力，公司多款射频前端器件规模投放市场后得到客户一致好评，主要有Transceiver及射频前端 [如功率放大器(PA)、天线开关(Switch)、滤波器(Filter)、双工器(Duplexer和Diplexer) 和低噪声放大器(LNA)等]。
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基于氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)化合物半导体材料设计的低阻抗，高电子迁移率器件解决方案，为客户定制各类模块及器件，主要用于光伏逆变器、电机控制、新能源汽车，无线充电、中低压快充等。
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基于人工智能大模型架构的GaN高电子迁移可编程动力系统芯片，公司科研团队连续三年获得多项ICCV国际人工智能大赛二、三等奖，2024年获得国际计算机视觉触觉顶会CVPR 冠军。
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Mini LED显示驱动芯片集成了高精度恒流控制、PWM产生和数字信号处理等部件， 是显示屏成像系统的主要部分， 负责接收图像数据并转换为PWM恒流驱动， 精确地控制相应的LED灰度显示。公司现有基于CPWM技术设计的大规模 8K Mini LED显示高刷新芯片，矩阵式LED背光驱动芯片，该技术领域获得国内60%以上发明专利。
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Micro LED，将LED背光源微缩化、矩阵化，致力于单独驱动无机自发件(自发光)，让产品寿命更长，Micro LED晶片长度约1~10μm，仅为LED的1%，通过大规模转移技术，μm级三色RGB Micro LED被转移到基板上，形成各种尺寸的Micro LED显示屏。
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中科无线半导体，由中国科大校友团队创办，具备多年化合物功率半导体研发及产业化经验，是一家基于化合物材料研发及生产的高端模拟芯片设计公司。
公司概况
中科无线半导体团队 2011 年组建于合肥，2018 年搬到广东深圳，是一家军民融合企业，是中国科大校友团队创办，由“第三代半导体”模拟芯片设计领域的专家博导组成，包含 7 位教授及 11 位博士，获得国防及民用专利 43 项，累计发表论文 250 篇。团队来自各大军工所及中国科学院半导体研究所，具有丰富的化合物功率半导体研发及产业化经验，研发的芯片包括 HEMT、PHEMT、GaN/SiC、Transceiver 通信芯片、mini LED、micro LED、化合物半导体外延材料研发及氧化铝（AI2O3)材料生长蓝宝石衬底技术研制。产品主要应用于、新能源、无人机、无人装备、物联网、显示面板及快充等领域。
查看详情发展历程
2023年 砷化镓/氮化镓 HEMT/PHEMT、GaN外延，进入量产阶段；2023年MiniLED8通道芯片，验证片合格；研制48通道芯片；2022年SiP工艺设计及物联网芯片、SiP封装机图像SOC+RFTransceiver实现量产；2019年研制光子微波连接器……
查看详情公司荣誉
公司资质为国家级高新技术企业，国家级软件企业。获得专利100项、软件著作权9项、警用探针、透明算法加密系统等获得政府资助（500万元）。 荣获中国半导体联盟事单位，4G智能天线华为、中国移动5G联合创新中心合作伙伴...
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